正如我們所知，半導體IC清洗是IC制程中重復次數最多的工序，清洗效果的好壞會較大程度的影響芯片制程和集成電路特性等質量問題。但就一般清洗設備而言，清洗液需要消耗大量的化學品，在拉高成本的前提下，處理不當就會對環境造成嚴重污染。另一方面， IC制程發展逐漸趨向更高精度，清洗也因此面臨著更大挑戰。

“尤其需要重視的是，硫酸廢液的處理是先進集成電路制造中的重要挑戰。例如在臺灣，半導體工廠占用了該地區硫酸總使用量的一半以上。”盛美半導體設備的董事長王暉說。

那么硫酸廢液是如何成了系列難題幕后的黑手？

王暉指出，追根究底，單憑槽式清洗無法滿足28nm及以下技術節點的制程要求，因此，清洗技術逐漸從槽式清洗轉變為單片清洗，由此提高清洗制程效果。但這一轉變大大地增加了硫酸消耗量，使得目前對硫酸廢液的處理引發了一系列安全問題，能耗問題以及環境問題。

而在當下，全球對環境問題的關切日益凸顯、加上政府部門對工業廢液排放的進一步監管和限制，都無一不迫切要求半導體清洗廠商加速尋找一款既能降低化學藥液用量、又不犧牲清洗制程效果的清洗設備。

針對這一解決方案，盛美半導體設備在今日宣布，世界首臺槽式與單片清洗集成設備——UltraC Tahoe現已在全球正式商用。

據了解，Ultra C Tahoe清洗設備在單個濕法清洗設備中集成了兩個模塊。在槽式模塊中，配有硫酸雙氧水混合液（SPM）清洗與快速傾卸沖洗（QDR），SPM制程藥液在此獨立的槽式模塊中被循環使用，與單片SPM清洗相比，至少可減少80%的硫酸廢液排放。槽式清洗之后，晶圓將在濕潤狀態下，被傳至單片模塊；而單片清洗腔體可按客戶需求進行各種制程藥液的靈活配置，同時，單片清洗腔體可配置至多4支擺臂，每支擺臂可提供至多3種制程藥液。

更值得關注的是，低交叉污染風險和優秀的顆粒去除效果是Ultra C Tahoe的兩大清洗優勢。

據盛美半導體設備客戶端商業大產線數據表明，30nm條件下，與傳統槽式SPM清洗設備相比， Tahoe清洗設備可將晶圓上的顆粒數控制從數百顆降低到十顆；此外若以每日處理兩千片晶圓為例，Tahoe清洗設備每日消耗硫酸僅不到兩百升，與單片SPM設備相比，每日可減少超過一千六百升硫酸廢液排放。

“該清洗設備優秀的清洗效果與靈活的制程適用性可與單片晶圓清洗設備相媲美；與此同時，其硫酸的消耗量僅為單片晶圓清洗設備的數分之一。”王暉稱。

與此同時，王暉也表示，“Tahoe清洗設備既使半導體工業技術路線得以繼續向下延伸，又兼顧環保問題，節省了在廢液排放上的巨大開支。”換句話說， 這的確是一款獨具自主知識產權且能一舉兩得的晶圓清洗設備。